회사 소식 LED 드라이버 기술의 R&D 혁신: 상장 기업이 산업 발전을 주도하는 방법

소개

LED 드라이버 기술의 혁신은 우연히 일어나지 않습니다. 상용화하는 데 수년이 걸릴 수 있는 아이디어를 추구하려면 연구에 대한 지속적인 투자, 재능 있는 엔지니어링 팀, 재정 자원이 필요합니다. 상장 기업으로서 우리는 연간 수익의 6.5%를 R&D에 할당합니다. 이는 업계 평균인 3~4%보다 훨씬 높은 수치입니다. 다음은 우리 실험실에서 나타나는 혁신을 살펴보는 것입니다.

GaN 전력 반도체: 실리콘 후계자

질화갈륨(GaN)은 MOSFET 이후 전력 반도체 기술에서 가장 중요한 발전을 나타냅니다. GaN 트랜지스터는 1/10의 게이트 전하로 실리콘보다 10배 빠르게 전환하여 드라이버 전력 밀도와 효율성을 획기적으로 향상시킵니다. 우리의 R&D 팀은 GaN Systems의 650V e-모드 HEMT를 차세대 드라이버 플랫폼에 성공적으로 통합하여 다음을 달성했습니다.

• 92-94% 피크 효율(실리콘 설계의 경우 89-91%)
• 자기 부피 40% 감소
• 전체 PCB 면적 30% 감소
• 효율성 저하 없이 스위칭 주파수 2배 증가

캐비닛 아래 조명을 위한 무선 전력 전송

가장 흥미로운 R&D 프로젝트 중 하나는 캐비닛 아래 LED 조명을 위한 무선 전력 전송입니다. 6.78MHz(ISM 대역)에서 자기 공명 커플링을 사용하여 15mm 에어 갭에서 안정적인 30W 전력 공급을 시연했습니다. 이는 캐비닛 기본 재료를 통해 일반적인 캐비닛 아래 LED 스트립에 전력을 공급하기에 충분합니다. 이 기술을 사용하면 액세스 구멍을 뚫고 캐비닛을 통해 와이어를 연결할 필요가 없어 개조 응용 분야의 설치가 크게 단순화됩니다.

AI 기반 적응 제어

우리의 고급 개발 팀은 엣지 AI 프로세서를 스마트 LED 드라이버에 통합하고 있습니다. 이 프로세서는 시간이 지남에 따라 사용자 행동 패턴을 학습하고 자동으로 조명 출력을 최적화합니다. 개발의 주요 기능:

초박형 평면 자기학

캐비닛 설치에는 슬림한 프로파일이 필요합니다. 당사의 평면 변압기 기술은 기존의 권선 보빈을 PCB 내장 권선으로 대체하여 40W 설계의 경우 전체 드라이버 높이를 8mm 미만으로 줄입니다. 이는 Z 치수 감소에도 불구하고 커플링 효율을 유지하는 새로운 코어 형상과 최적화된 권선 패턴을 통해 달성됩니다. 세 가지 핵심 형상 혁신에 대한 특허 출원이 제출되었습니다.

양방향 드라이버: 그리드 인터랙티브 미래

앞으로는 전력 소비와 공급이 모두 가능한 양방향 LED 드라이버를 연구하고 있습니다. 연결된 모든 장치가 그리드 밸런싱에 참여하는 미래에는 배터리 저장 장치가 통합된 캐비닛 아래 드라이버가 정전 시 비상 조명을 제공하는 동시에 정상 작동 중에 그리드 안정성에 기여할 수 있습니다.

결론

R&D 투자는 기술 리더와 원자재 공급업체를 분리합니다. 상장 회사로서 우리는 LED 드라이버 기술의 향후 10년을 정의할 혁신에 투자할 수 있는 자원과 장기적인 비전을 모두 가지고 있습니다. 우리의 파트너는 제품 성능과 새로운 기능을 지속적으로 개선함으로써 이러한 지속적인 투자로부터 이익을 얻습니다.